SK hynix представила 321-слойную 4D NAND память с интерфейсом UFS 4.1

/ Новости / Технологии
SK hynix представила 321-слойную 4D NAND память с интерфейсом UFS 4.1 Компания SK hynix объявила о разработке нового решения для хранения данных на базе 321-слойной 4D NAND памяти с интерфейсом UFS 4.1. Чипы будут доступны в вариантах на 512 ГБ и 1 ТБ и появятся в смартфонах в первом квартале 2026 года.Новая память на 15% тоньше предыдущего поколения (0.85 мм против
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +3

Бывший сотрудник SK hynix арестован за попытку передачи технологий HBM в Китай

/ Новости / Технологии
Бывший сотрудник SK hynix арестован за попытку передачи технологий HBM в Китай Бывший сотрудник SK hynix был арестован в аэропорту Инчхон (Южная Корея) в начале мая при попытке передать секретные технологии компании китайским организациям. По данным DigiTimes, подозреваемый, известный как «мистер Ким», хотел передать конфиденциальную информацию о технологии высокопропускной
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • +4

Бывший сотрудник SK hynix передал Huawei технологии передовой упаковки чипов

/ Новости / Технологии
Бывший сотрудник SK hynix передал Huawei технологии передовой упаковки чипов Бывший сотрудник SK hynix обвиняется в незаконной передаче технологий передовой упаковки чипов, используемых для 3D NAND, HBM и многокристальных сборок, а также CMOS-датчиков изображения, подразделению HiSilicon компании Huawei. Об этом сообщает DigiTimes со ссылкой на прокуратуру Сеула.
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0

Цены на оперативную память DRAM от SK Hynix выросли на 12%

/ Новости / Технологии
Цены на оперативную память DRAM от SK Hynix выросли на 12% 6 мая 2025 года — на мировом рынке памяти наблюдается заметный рост цен, особенно на потребительские модули оперативной памяти.Согласно последним данным, цены на DRAM-чипы от SK Hynix выросли примерно на 12%, что подтверждает ранее появившиеся слухи о подорожании.Ранее компания SanDisk (Western
Читать дальше →
  • Алиса Минь   
  • 0